永盈会官网娱乐app下载·美光流片第四代3D闪存:全新替换栅极架构

2020-01-11 18:22:14

简介 : 美光宣布,已经完成第四代3d nand闪存的首次流片,应用了全新的替换栅极架构,并计划在明年投入量产。这种新架构是美光独自研发的,并没有intel的帮助,双方已经越走越远。不过,完成流片只是美光新闪存的一步尝试,美光还没有计划将任何一条产品线转向rg架构,暂时也不会带来真正的成本降低。目前,美光的首要任务是扩大96层3d闪存的产能,明年将其应用到各条产品线。

永盈会官网娱乐app下载·美光流片第四代3D闪存:全新替换栅极架构

永盈会官网娱乐app下载,美光宣布,已经完成第四代3d nand闪存的首次流片,应用了全新的替换栅极(rg)架构,并计划在明年投入量产。

美光第四代3d闪存堆叠了最多128层,继续使用阵列下cmos设计思路,不过美光与intel使用多年的浮动栅极(floating gate)换成了替换栅极(replacement gate),以缩小尺寸、降低成本、提升性能,升级到下一代制造工艺也更容易。

这种新架构是美光独自研发的,并没有intel的帮助,双方已经越走越远。

不过,完成流片只是美光新闪存的一步尝试,美光还没有计划将任何一条产品线转向rg架构,暂时也不会带来真正的成本降低。

目前,美光的首要任务是扩大96层3d闪存的产能,明年将其应用到各条产品线。

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